二极管的反向特性

　将的正极接低电位点，负极接高电位点，这一状态叫做给二极管加“反向偏置”，简称二极管“反偏”。这时二极管表现出的特性就是“反向特性”。现在将一只硅材料二极管，接成如下图所示的，使二极管处于反向偏置，我们再来看看它的导电状态。

 

 

　当外加从0V开始增大至几伏时，可以看到表有些微偏转，说明有微小电流通过二极管。然后将反向电压继续增大，在一段较大的变化范围内，这一小电流值并没有变化，我们称这一电流为二极管的“反向饱和电流”。由于非常小，大约只有几微安至几十微安，所以在分析电路时通常都将它忽略，认为二极管是截止的。这是因为外加反向电压与PN结内电场方向是一致的，外电场加强了内电场的影响，使PN结变得更厚了，多数载流子更是无法穿越PN结，只有极少量的少数载流子在外电场作用下通过PN结，形成极小的反向电流。

　值得注意的是，当反向电压继续增大，达到几十伏（或更高）时，电流表指示反向会电流急剧增大，且越来越大，以至在很短的时间里二极管就烧毁了。

　这种状态被称作二极管“反向”，我们把开始出现击穿现象的电压值称为“反向”。下图所示的曲线就表达了二极管的这一反向特性。

 

　出现反向击穿的主要原因是：当反向电压很大时，在外电场和内电场共同作用下，PN结内共价键结构被“摧毁”，使大量原来被束缚的价电子在瞬间变成自由电子，载流子数量骤增，形成很大的电流。

　所以普通二极管不应该工作于击穿状态。

　不同材料组成的二极管，反向饱和电流大小不同，反向击穿电压的大小也不同。一般说来，硅材料二极管的反向饱和电流要比锗材料二极管小得多，而击穿电压则比锗材料二极管高一些。但同样材料的二极管由于制作工艺的差别，击穿电压值也会有很大不同，所以二极管的反向击穿电压在数值上是差异是很大的，使用中必须注意查看《手册》。