可变电抗二极管
又称""。是一种利用pn结(或接触势垒儿与其反向偏置vr的依赖关系及原理制成的。所用材料多为硅或砷化嫁单晶,并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容愈小。具有与衬底材料有关的串联。
主要参量是:零偏结电容。零偏压优值、反向、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止等,对于不同用途,应选用不同c和vr特性的变容m极管,如有专用于谐振的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中、移相的功率阶跃变容二极管等。
又称""。是一种利用pn结(或接触势垒儿与其反向偏置vr的依赖关系及原理制成的。所用材料多为硅或砷化嫁单晶,并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容愈小。具有与衬底材料有关的串联。
主要参量是:零偏结电容。零偏压优值、反向、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止等,对于不同用途,应选用不同c和vr特性的变容m极管,如有专用于谐振的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中、移相的功率阶跃变容二极管等。