二极管的伏安特性

　的伏安特性是指将所测得的(ID)和(UD)数据，在ID-UD坐标中做出一系列相应的点，并把这些点连成一条光滑的曲线，该曲线即为二极管的伏安特性，如下图所示。有时也称为二极管的特性曲线。

　由二极管的伏安特性可知，当二极管所加正向偏压比较小时，尚不能使之导通；只有当正向偏压超过起始电压USD时（硅管0.5V，锗管0.2V）二极管才开始导通。

　当二极管充分导通时，正向偏压值（或称管压降）只在0.7V（硅管）或0.3V（锗管）左右。  

　当二极管加上反向偏压时，并没有完全截止，而是存在反向饱和电流，但电流值极小，通常将它忽略。

　当二极管所加的反向偏压超过反向(UBR)时，将出现“反向”，在瞬间产生很大的，二极管反向击穿往往造成PN结损毁。

　由上述可见，通过对二极管伏安特性的描述，使我们对二极管电流随电压变化的规律加深了认识，为今后分析二极管在电流中的工作状态，以及正确使用二极管都打下一定基础。