高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FOD3184简介

      FOD3184是一款输出为3A的高速 MOSFET / 栅极驱动 光耦 合器产品。FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光 和集成在 功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率 的检测器以光学方式耦合构成，PMOS上拉晶体管具有低 RDS(ON)，能够降低内部功耗和提供接近轨对轨输出摆幅能力。该器件具有高抗噪能力，最低共模抑制比(CMR)为35kV/?s，适合嘈杂的工业应用。  

　FOD3184采用8脚双列直插封装，提供>8.0mm的爬电距离(creepage)和电气间隙，可配合安全机构至关重要的终端应用要求。此外，封装符合无铅标准对260uC 回流焊 工艺的要求，FOD3184具有1,414V的额定工作电压(VIORM)，能够驱动1,200V，并保持长期可靠的隔离性能。

　　特性：

　该器件适用于工作高达250k的功率 MOSFET 和的高频驱动，相比常用的 FOD3120 栅极 驱动器 ，新器件的传输迟延时间缩短了50%，功耗降低了13%。

　FOD3184还具有15V至30V宽V工作电压范围 、3A最大峰值输出电流，并确保-40?C至+100?C的工作温度范围。还具有专为驱动IGBT而优化的带有迟滞作用的欠压锁定(UVLO)保护功能。

　　应用：

　●显示器面板

　●高性能直流/直流 转换器

　●高性能 开关

　●高性能 不间断

　●隔离式 功率MOSFET / IGBT栅极驱动器