OV理想二极管

　肖特基(SBD)和普通硅，其正向VF者B在o.5v以上。

　利用MOSFET管的低导通，将二极管与功率MOSFET管并联，封装在一起，制成了正向电压VF几乎为Ov的理想二极管，其内部结构如上图。

　由于功率MOSFET的导通已低至数mΩ以下，其压降是导通+j流过的乘积，故理想二极管的功率损失非常小。下图是理想二极管和普通二极管的功耗曲线。理想二极管通常不需驱动，不会产生振荡等不稳定现象。