晶体管开关电路里的加速电容器

饱和开关的问题点：OFF延时时间

如图1所示，使场效应开关动作时，加给晶体管的基极IB：是IB=/hFE，决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和VCE(set)减小，使晶体管的ON时的电力损耗降低的缘故。

这样，晶体管饱和动作时，如图2所示，基极电流IB，即使为0，晶体管也不能立刻OFF，集电极电流在积蓄(strage)时间tstg+上升时间tr，之后才变为0(toff=tstg=tr)。       

    图1 基本的晶体管开关     

    图2 为使开关高速，减小toff很重要

用于OFF晶体管的时间莎。toff比用于ON的时间ton要长，而且根据驱动基极的条件变化很大，这在高速开关电路中必需注意。