大功率MOS-FET的使用

　　(l)存放和使用

　MOS=FET管由于很高，使得栅极感应的电荷不易泄放，由此容易产生较高的感应，造成栅极的绝缘层被而损坏．所以在使用和保存上述器件时应特别注意，应存放在防静电的包装袋内，或在各极短路的情况下保存。在取用和安装过程中，需要用手去拿器件时，必须带上手套和静电泄放腕带，把人体上积聚的静电放掉，以免静电损坏管子。
　　
　　安装新管子或是更换时，应先把器件安装在散热片上，将源极与地良好接触．然后用防静电烙铁或者拔掉电烙铁的插头眉，每次焊接时间最好不超过5秒，以保证安装的新管子不被损坏。还有一点应注意，MOS-FET管子内部都含有氧化铍陶瓷，由于这种材料的散热效果特别好而被采用。但氧化玻本身是一种剧毒物质，使用者应特别注意，切勿用手直接触摸，更换下的坏管子也不可随意丢弃，应妥善地保管和处理，以防发生人身意外。
　　
　　(2)MOS-FET的简单测量法
　　
　　正向导通测量：MF500型，RxlOk挡，红表笔接源极S，黑极笔接在栅极G上，此时栅源间的很大，表头指示不动，栅、源间的输入被正向充电。栅极为正电压，漏源应该导通，这时红表笔不动，将黑表笔接在漏极D上，表头指示为OΩ，说明漏源导通。
　　
　　反向夹断测量：黑表笔接源极S上，红表笔接栅极G上，由于很大表头指示不动，栅源间输入被反向充电，栅极为负电压，漏源被截止。这时将红表笔接源极S上．将黑表笔接漏极D上，表头指示不动很大，说明管子被夹断。