MOS FET的频率特性

  　　半导体的特性基本取决于其开关特性、双极型无论载流子还是空穴，皆存在存储效应，使响应速度变差。FET无此存在效应，更适于高速开关动作。若以增益频宽积表示(h)双极管约为100k~10MHz，而FET则可达到100MHz以上。
　　
　　FET的频宽可以gm/2 πCi表示（Ci为漏源极输人），如日本的2SK146，gm=40ms，Ci=75pF，则其频宽积约为85MHz。
　　
　　可见输入对放大器频响的重要性，小功率双栅MOS FET，由于氧化层极薄，故工作于UHF频段也极优秀。对UHF MOSFET而言，Ci常达1000pF以上，功率越大Ci也越大，IDS达到30A的UHC MOS Ci值接近O,01μF，即使无载流子的存储效应，大容量的输入电容也会使MOS关断延迟，在模拟放大中引起波形。为此在音频范围应用必须采用输出极低的驱动，以使信号输入时输入电容能快速充电完毕，驱动信号迅速达到其峰值。如果信号源内阻过高，将产生驱动的延迟而引起失真。信号源内阻很低时充电速度加快，但初始充电极大，造成栅极电压下凹。因此还需在信号源和栅极间接八适当小限制过大充电初始电流。低的信号源内阻可提供Ci初始充电电流的能力。
　　
　　在栅极加入小则对初始充电峰流进行适当限制，以避免输入信号的失真。此为UHF FET放大器扩展频响，减小波形畸变的关键。
　　
　　上述特点是功率型MOS FET用于输出级必须考虑的重点。