MOS FET管的优势

  　　MOSFET管与双极型功率管比较，有以下特殊的优势。
　　
　　(1)反向漏小
　　
　　场效应管为控制器件，对MOSFET管而言，栅一源极之间由金属氧化物隔离层相隔离。
　　
　　当栅一源极间无电压时，其漏一源极极高，只要外加电压小于Vds,其漏极电流只有muA级。而且，此类器件具有负特性，漏极电流随环境温度上升反而减小。
　　
　　(2)驱动功率小
　　
　　场效应管为电压控制器件，其栅一源极极高，只要在栅一源极建立电场，即可控制漏一源极电流。如果以电流增益的概念来衡量其放大特性的话，其电流增益可达几亿数量级。栅极驱动电压只是在输入端栅源极之间建立充电电流，而不直接驱动Ids。
　　
　　因此，其输入阻抗与电子管相近，这就使得MOSFET管驱动大为简化，可以直接由或TTL电路驱动，使整机功耗减小。
　　
　　(3)无“二次’现象
　　
　　所谓“二次”击穿是指，双极型的正温度系数特性、集电极电流产生的温升，温升使集电极电流增长。
　　
　　如此恶性循环，使三极管热击穿。场效应管的Ids具有负温度系数，故不会发生此现象，因而其安全工作区超过双极管。
　　
　　(4)开关速度快
　　
　　场效应管控制的是栅、源极电压，无电荷存储问题。
　　
　　当驱动脉冲截止时，只要利用极简单的放电电路将栅、源极的充电电荷释放，开关管立即关断。此放电通路称为灌(许多型号的开关驱动内部都设有灌电流通路)，随输出脉冲截止，灌电流通路同时开启，使MOSFET管的关断时间和导通时间达到10～20。
　　
　　由于其开关速度极快，无需另加反向截止偏置。．(5)场效应管可以直接并联使用，不必外加均流。
　　
　　但是，MOSFET管在应用中需注意以下两点：
　　
　　首先，保存、运输和使用中，均需注意防止静电。因为其输入阻抗极高，即使能量不大的静应电荷积累，也可能击穿栅、源极绝缘层。目前生产的绝缘栅场效应管已在栅、源极集成了保护反向和，以防止意外静电击穿。
　　
　　其次，输入驱动虽属电压驱动，但其输入电容大，使高频输入阻抗降低。因此，要求驱动电路阻抗低，同时，在栅极加入一定的隔离，并在驱动电路中设置灌电流通路。以使驱动脉冲截止时栅极输入电容能快速放电。加快场效应管的截止速度。
　　
　　目前，MOSFET管可以作到Vds为1．8kV，Ids为100A以上，Rds为0．1～0．07Q的产品。据国外报道，用于的MOSFET管，其Rds达到20MQ以下的产品已问世。
　　
　　另外，还有一种SIT器件(静应晶体管)，此类器件属垂直结构的结型场效应管，其开关速度快、增益高，工作达到几M。由于其特性与电子管相近，目前音响爱好者将其用作电路，据称，其音质也有极浓的“胆味”。此类器件现已有1．5kV／100A以上的产品，被工业上用于发生器、激光、高频电炉等设备。
　　
　　除此而外，还有双极管与FEI管的混合产品，所谓绝缘栅双极晶体管。顾名思意，它属MOSFET作前级，双极管作输出的组合器件。因此，IGBI’管既有绝缘栅栏场效应管的电压驱动特性，还有双极管饱合压降小和耐压高的输出特性，其关断时间达到0．4us以下，BVceo达到1．8kv，10I达到100A的水平。目前被用在电机变频调速，大功率和开关电源等电机中。