液晶显示屏薄膜场效应晶体管(TFT)的作用

　　在当前大屏幕有源矩阵式中，首选的是a—Si(不搀杂或轻搀杂的非晶硅)半导体场效应三端口器件，如下图(a)所示。a—Si场效应是利用表面效应的绝缘栅做成场效应晶体管，它通常由不搀杂或均匀轻搀杂的高阻半导体a—Si与同一侧表面相接触的绝缘层组成。有D、S、G三个电极。因为不搀杂a—Si薄膜本身的很高，是不导电的。当栅极上加正，吸引电子在界面处堆积，形成N型沟道，源漏间导通；如果栅极上加负电压，电子被推走，空穴(带正电)在界面上堆积，形成P沟道，源漏之间也导通。不过方向相反，ITO电极板上的充电符号相反。换句话说：显示屏中每一个的TFT都相当于一个电子开关，栅极不加电压时，a—si沟道很大，源、漏极之间相当于开路；栅极加电压时，a—si沟道导通，a-si沟道很小，源、漏极之间相当于接通，其电流的通断比高约7个数量级。接通时，漏极(信号)电压对像素极板(ITO)充电，不同像素的信号电压不同，像素极板上充电电压不同，液晶分子扭曲型排列的“破坏”程度不同，透光度不同，实现了对单色像素的亮度，以及彩色的调制；关断(开路)时，已充电的像素极板上电荷不会消失，每个像素的辉度能保持(储存)相对长的时间，直至第二次接通电刷新。