彩电开关电源主要器件及其特性（二）

     ( 2) 的基本形式

　①直接驱动式

　直接驱动又包括如下具体形式：

　a. 用TTL 驱动 MOSFET 。可按图9 所示，用TTL 驱动 MOSFET 。

　另一种驱动MOSFET 的方法是使用专用的集成化 。图10 中的 DS0026 ，便是其中一例。  

图9 用TTL 驱动MOSFET示图

图10 用专用的集成化缓冲器驱动MOSFET示图

　b. 用电路驱动MOSFET。由于MOSFET 有很高的，所以可考虑用 电路直接驱动其栅极，如图11 所示。

图11 用电路驱动MOSFET示图

　c. 用线性互补电路驱动MOSFET。用线性 运算放大器 来直接驱动MOSFET，受限制的因素主要是运算 放大器 的回扫时间较长，因此，采用这种驱动方式的工作限于25 k 以下。为了改善频带宽度和回扫速度稍慢的问题，可插入一个射极跟随器，如图12 所示。

图12 用线性互补电路驱动MOSFET示图

　②耦合驱动式和混合式。

　驱动共漏极MOS－FET 的另一类电路是，利用 耦合，如图13 所示。

图13 用变压器耦合驱动共MOSFET示图

　3. 场效应 的保护电路

　( 1）过保护电路

　加到MOSFET 上的浪涌电压有 开关 与其他MOSFET 等部件产生的浪涌电压：

　有MOSFET 自身关断时产生的浪涌电压；有MOSFET 内部 的反向恢复特性产生的浪涌电压等。这些过电压会损坏 元器件 ，因此要降低这些电压的影响。

　过电压保护基本电路如图14 所示。

　其中图14（a）所示电路是用RC 吸收浪涌电压的方式，图14（b）所示电路是再接一只二极管VD抑制浪涌电压，为防止浪涌电压的振荡，VD 要采用高频 。图14（c）所示电路是用 钳位浪涌电压的方式，而图14（d）、图14（e）所示电路是MOSFET 上如果加的浪涌电压超过规定值， 就使MOSFET 导通的方式。图14(f)和图14(g)所示电路在 电路中使用，在正负 母线 间接而吸引浪涌电压。特别是图14(g)所示电路能吸收高于 电压的浪涌电压，吸收电路的损耗小。图14(h)所示电路是对于在感性（L）上并联二极管VD，能消除来自负载的浪涌电压。图14(i)所示电路是栅极串联 RG，使栅极反向电压VCG 选为最佳值，延迟关断时间而抑制浪涌电压的发生。

图14 各种形式的过电压保护电路图

　（2）过保护电路

　MOSFET 的过电流有两种情况，即负载短路与负载过大时产生的过电流。过电流保护的基本电路如图15 所示，由电流器（CT）检测过电流，从而切断MOSFET 的栅极信号。也可用或 元件 替代CT。

图15 过电流保护电路图