绝缘栅双极晶体管

    绝缘栅双极（Insulate-Gate Bipolar Transistor—）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；也是三端器件：栅极，集电极和发射极。

  普通IGBT管的简化等效如附表  

 

参    数	IRG4PC5OW	CT60AM-20
集一射极Vce(V)   连续集电极(A)   脉冲集电极电流lcm(A) 栅一射极最高Vce(V) 最大功耗PD TC=250C(W)     最高工作结温(TJ)	600     55     220    ±20     200     150	1000     60     250     25     250     150

 

  　　图l所示，符号见图2。

　其栅极、集电极、发射极分别用G、C、E表示，IGBT管通常用于开关电路，由G极电压正、负来控制。当G极加上正电压时，绝缘栅下形成沟道，为后面的NPN型晶体管基极提供电流，从而使整个IGBT管导通。反之，当G极加负电压时IGBT管关断。IGBT管的伏安特性如图3所示。

　IGB'I‘管的电参数很多，其主要电参数有集电极一发射极电压Vces、栅一射极最高电压Vce、集电极一发射极电压降Vcetyp、连续集电极电流Ic脉冲集电极电流Icm最大功耗PD和最高工作结温等。IGBT管近年来在开关速度与集一射击穿电压有很大突破，目前其开关已突破150k、集一射击穿电压已超过600V，同时仍保持了IGBT。具有较高电流密度的特点。故在大电流高频领域中，具有用武之地。比如美国lR公司生产的IRG4PC50W型IGBT’管，主要用于高频开关。电参数见附表。符号见图4。

　日本三菱公司生产的CT60AM-20型IGBT管广泛应用于微波炉、电磁厨具、煮饭厨具、电压谐振变换电路。

　其电路符号见图5，其电参数见附表。

　上述两种型号的IGBT管为TO-247封装，外形就像一只彩电用大功率塑封开关管或行输出管。