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肖特基二极管与一般二极管的比较

  肖特基是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通降较低,而且可以提高切换的速度。
  
  肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在流过时,会产生约0.7-1.7伏特的电压降,不过肖特基二极管的电压降只有0.15-0.45伏特,因此可以提升系统的效率。
  
  肖特基二极管和一般二极管最大的差异在于反向恢复时间,也就是二极管由流过正向电流的导通状态,切换到不导通状态所需的时间。一般二极管的反向恢复时间大约是数百nS,若是高速二极管则会低于一百nS,肖特基二极管没有反向恢复时间,因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS,特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十pS。由于一般二极管在反向恢复时间内会因而造成。肖特基二极管可以立即切换,没有反向恢复时间及电流的问题。

半导体器件名称 典型产品型号 平均整流电流IA(A) 正向导通电压 反向恢复时间trr(ns) 反向峰值电压VEM(V)
典型值VF(V) 最大值V(V)
肖特基二极管 MBR30100 30 0.4 0.8 <10 100
VF肖特基 SV1045 10 0.35 0.8 <10 45
SF1006 10 0.5 1 35 600
快恢复二极管 D92-02 30 0.5 1 400 200
硅高频整流管 PR8003 3 0.5 1.2 400 800
硅高速 1N4148 0.15 0.5 1 4 100

 上表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见,除了上面提到的的性能之外肖特基二极管整流电流比效高,硅高速开关二极管的trr虽极低,但平均整流电流很小,不能作大电流整流用。
  
  因此总结为:肖特基二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显着的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信、等中比较常见。


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