耗尽型MOSFET的结构与原理

　增强MOSFET的特点是，N沟道的建立是Ugs的贡献，没有Ugs>Ut，导电沟道就无法建立，D、S之间就不会有导通，与增强型MOSFET相比，另有一种MOSFET称为耗尽型MOSFET，它在制造过程中，在二氧化硅绝缘层中掺进大量正离子，形成一个正电中心，产生了指向p型硅表面的垂直电场，在Ugs为零时，D、S之间已经有N沟道形成，若外加Ugs大于零，导电沟道加宽，当Ugs为负值，负到一定值时，正电中心形成的垂直电场被抵消，导电沟道消失。此时的Ugs也被定义成夹断，记为Ut。耗尽型MOSFET的特性曲线类似于增强型MOSFET，只是出现了负偏置需求，其转移特性曲线如上图所示，输出特性曲线如下图所示，对于P沟道耗尽型MOSFET，偏置电压极性要求正好与N沟道MOSFET的相反。