IGBT管的技术特性术语

　(1)在25℃和100℃时的连续集电极。该参数表示从规定的壳温到额定结温时的集电极直流电流。

　(2)脉冲集电极电流（ICM）。在温度极限内管的峰值电流可以超过额定的连续直流电流的极限值。

　(3)集电极一发射极(UCE)。由内部型的确定，为了避免PN结，管两端的电压决不能超过这个额定电压值。

 

　(4)最高栅极一发射极电压(UGE)。栅极电压受栅极氧化层的厚度和特性限制。虽然栅极的绝缘击穿电压约为80V，但是为了保证可靠工作且限制故障状态下的电流，栅极电压通常应限制在20V以内。

　(5)钳位电流(ILM)。在负载中，这个额定值可以确保电流为规定值时IGBT管能够重复开断。这个额定值也能够保证IGBT管同时承受高电压和大电流。

　(6)25℃和100℃时的最大功率(PD)。其计算公式为：

　(7)结温(TJ)。器件能够在-55℃～100℃的工业标准温度范围内正常工作。

　(8)最大集电极电流ICmax。包括额定直流电流Ic和Ims脉宽最大电流Icp。

　(9)最大集电极功耗。IGBT管的最大集电极功耗PCM为正常工作温度下允许的最大功耗。

　(10)最大工作。开关频率是选择适合的IGBT管时需考虑的一个重要参数，最大工作频率与导通损耗有直接的关系，特别是在集电极电流Ic与UCE(sat)相关时，把导通损耗定义为功率损耗是可行的。这三者之间的表达式为：

　开关损耗与IGBT管的换向有关，但是主要与工作时的总能量消耗Ets相关，并与终端设备频率的关系更加紧密。总损耗是两部分损耗之和：

　在这一点上，总损耗显然与Ets和UCE(sat)两个主要参数有内在的联系。这些变量之间适度的平衡关系与IGBT管技术密切相关，并为用户最大限度地降低终端设备的综合散热提供了选择的机会。因此，为最大限度地降低功耗，根据终端设备的频率以及应用中的特性，应选择不同的器件。