场效应晶体管的保护电路

　　(1)过保护
　　
　　加到MOSFET上的浪涌电压有开关与其他MOSFET等部件产生的浪涌电压：
　　
　　有MOSFET自身关断时产生的浪涌电压：
　　
　　有MOSFET内部的反向恢复特性产生的浪涌电压等。这些过电压会损坏元器件，因此要降低这些电压的影响。
　　
　　过电压保护基本电路如下图所示。
　　
　　其中下图(a)所示电路是用RC吸收浪涌电压的方式，下图(b)所示电路是再接一只二极管VD抑制浪涌电压，为防止浪涌电压的振荡，VD要采用高频。下图(c)所示电路是用钳位浪涌电压的方式，而下图(d)、下图(e)所示电路是MOSFET上如果加的浪涌电压超过规定值，就使MOSFET导通的方式。下图(f)和下图(g)所示电路在电路中使用，在正负母线间接而吸引浪涌电压。特别是下图(g)所示电路能吸收高于电压的浪涌电压，吸收电路的损耗小。下图(h)所示电路是对于在感性（L）上并联二极管VD，能消除来自负载的浪涌电压。下图(1)所示电路是栅极串联Rc，使栅极反向电压VCG选为最佳值，延迟关断时间而抑制浪涌电压的发生。

　　
　　(2)过保护电路
　　
　　MOSFET的过电流有两种情况，即负载短路与负载过大时产生的过电流。过电流保护的基本电路如下图所示，由电流器(CT)检测过电流，从而切断MOSFET的栅极信号。也可用或元件替代CT。