静电的危害

  　　静电放电时能对电子产品产生暂时性或者灾难性的损害。伴随时静电放电，损害一般可以产生以下几种：
　　
　　1．介质
　　
　　当加在介质中的超过了介质的，那介质就有被击穿的可能。根据放电能量的大小，介质有可能部分或者全部被击穿。介质越薄，其击穿电压就越低。这种击穿最常发生在场效应管的G极和D极间，或者G极和S极间。实验表明，具有MOS结构的器件是最容易发生介质击穿的。另外，还有MOSFET、和MOS也容易发生介质击穿。
　　
　　2．金属膜击穿
　　
　　当发生在局部的静电放电集聚的热量到达一定程度时，就有可能烧毁局部的导线。这种击穿发生在微电路中的金属膜，当静电放电产生放电渡过时，产生的高温将金属膜融化导致器件的失效。
　　
　　3．暂时性击穿
　　
　　这种击穿虽然不一定造成器件的完全损坏，但是有可能会影响器件的特性。比如遭受暂时性击穿的器件会出现漏电流变大、PN结的反向击穿电压变小、PN结的V-I特性曲线改变。
　　
　　4．积聚性击穿
　　
　　绝大部分电子器件都会在经历多次低于器件承受阈值的击穿后被彻底击穿，这是因为多次低能量的放电造成的损害积聚成的。