金属氧化物半导体型场效应管（MOS管）的电压极性和符号规则

　下图A是N沟道MOS管的符号，D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管，如下图A所示。在实际MOS营生产的过程中，衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。

　MOS管应用的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G为正电压时导电沟道建立，如上图B所示。同样p沟道的类似晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G为负电压时导电沟道建立，如下图B所示。