MOS管作开关管应用时的特殊驱动电路

　　MOS管和普通晶体三极管相比，有诸多的优点，但是在作为大功率开关管应用时，由于MOS营具有的容性输入特性，在MOS管的输入端，等于是一只小器C，如下左图所示，A是输入的方波开关激励信号，C是MOS管的等效输入，R是激励信号内阻。MOS管的激励过程，实际上是在对电容C进行反复的充电、放电的过程，在充放电的过程中，由干电容的积分作用，使实际加到MOS管栅极的波形产生图7中B的畸变，使MOS管道导通和关闭产生了滞后，使“开”与“关”的过程变惺，这是开关元件不允许的（功耗增加，烧坏开关管）。解决的方法是：只要R足够的小，甚至没有阻值，激励信号能提供足够的，就能使等效电容迅速的充电、放电，这样MOS开关管就能迅速的“开”、“关”，保证正常工作。由于激励信号有内阻，信号的激励电流也有限度，于是在开关MOS管的输入部分，增加一个减少内阻、增加激励电流的“灌流”来解决此问题，如下右图所示。

　　在上右图中，在作为开关应用的MOS管Q3的栅极S和激励信号之间增加Q1、Q2两只开关管，此两只管均为普通的晶体三极管，两只管串联连接，Q1为NPN型、Q2为型，基极连接在一起（实际上是一个PNP、NPN互补的射极跟随器），两只管等效为两只在方波激励信号控制下轮流导通的开关，如下图a、下图b。

　　当激励方波信号的正半周来到时，晶体三极管Q1{NPN）导通、Q2（PNP）截止，V经过Q1导通对MOS开关管Q3的栅极充电，由于Q1是饱和导通，VCC等效于直接加到MOS管Q3的栅极，瞬间充电电流权大，充电时1示（圈9a和下图b中的电容C为MOS管栅极S的等效电容）。

　　当激励方波信号的负半周来到时，晶体三极管Q1截止、Q2导通，MOS开关管Q3的栅极所充的电荷，经过Q2迅速放电，由于Q2是饱和导通，放电时间极短，保证了MOS开关营Q3迅速的“关”，如下图b所示。

　　这样就克服了MOS管的输入为容性特性对开、关工作的不利因素，使MOS管能很好的胜任开、关工作。