齐纳击穿

    当PN结两边的掺杂浓度很高时，阻挡层将变很薄，在这种阻挡层中，载流子与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞 ... 显然，场致激发能够产出大量的载流子，使PN结的剧增，呈现反向现象，这种击穿称为齐纳击穿(因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

    利用齐纳击穿可做成,又叫.该是一种直到临界反向前都具有很高的半导体器件.在这临界击穿点上,反向降低到一个很少的数值,在这个低阻区中增加而则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.  

    稳压二极管的正向特性与一般二极管相同，而反向击穿特性很陡峭。